10 номер последнего химического элемента, находящегося на предыдущем уровне h=2.
Вычислим количество крестиков:
Ca=487=41; F=141=13.
Расчётные параметры для гелия He были определены в примере 4.1.
Перейдём к построению кристаллической структуры CaF2He.
Рисунок 4.3 Вид «спереди» для структуры CaF2He.
Рисунок 4.4 Вид «сверху» для структуры CaF2He.
CaF2He представляет собой слоистый материал с соединением каждого из слоёв по типу рисунка 3.4.
Пример 4.3. MgF2He
Аналогично кристаллу CaF2He, можно построить структуру MgF2He.
Количество треугольников для магния составит:
Mg=48-30-12+1010=6. Вместе с тем в атомах исследуемого химического элемента 4s2 подуровень будет заполнен одним электроном, тогда Mg=7.
где 48 количество потенциальных ям, расположенных на оболочке куба (атома) уровня h=3.
30 количество электронов, находящихся на предыдущих оболочках куба (атома) уровней h=1 и h=2, в трёхкратном увеличении.
12 порядковый номер, определяемый согласно таблице Менделеева для магния Mg.
10 номер последнего химического элемента, находящегося на предыдущем уровне h=2.
10 количество свободных потенциальных ям, расположенных на незаполненном 3d10 подуровне.
Вычислим количество крестиков:
Mg=48-7-10=31
Расчётные параметры для гелия He и фтора F были определены в примерах 4.1 и 4.2 соответственно.
MgF2He является проводником электрического тока, поскольку в процессе поиска наиболее компактного вида структуры произошло заполнение электронами 4s2 подуровня.
Перейдём к изображению структуры MgF2He на рисунках 4.5 и 4.6.
Рисунок 4.5 Вид «сверху» для MgF2He.
Рисунок 4.6 Вид «спереди» для MgF2He.
Пример 4.4. H3S
Количество треугольников для водорода и серы составит:
H=1;
S=48-30-16+1010=2
где 48 количество потенциальных ям, расположенных на оболочке куба (атома) уровня h=3.