Мы над этим работаем, сказал Костоусов. Но тут нас пока сдерживает сложность и дороговизна электроники.
В этом плане у нас наметился неплохой прогресс, сообщил Шокин.
Мы перешли на производство более простой в изготовлении памяти. Она похожа на используемую сейчас твистор-память, но вместо наматывания ленты из пермаллоя, мы теперь наносим магнитный слой на проволоку электрохимическим способом. Получается дешевле. (http://vipclubmn.org/Articles/PlatedWire.pdf) Также успехи с освоением технологий фотолитографии позволили начать производство ещё одного типа памяти тонкоплёночной. (Описание http://ed-thelen.org/comp-hist/navy-thin-film-memory-desc.html, фото http://vipclubmn.org/images/MemoryFilmPlane.jpg). Александр Иванович достал образец платы памяти и с гордостью продемонстрировал Хрущёву и всем присутствующим.
Отлично! Никита Сергеевич явно был доволен.
Ну и, соответственно, удалось увеличить количество элементов на одном кристалле со 128 до 256 для нерегулярных схем, и гораздо более значительно, до 1024 элементов для регулярных, вроде микросхем памяти, доложил Шокин. Регулярная схема имеет в 5-10 раз большую плотность размещения транзисторов, чем в логических схемах, где относительно мало повторяющихся элементов. Пока такая память выпускается в лабораторных условиях, она ещё слишком дорогая и малоёмкая.
1024? Ого! Впечатляющий прогресс, одобрил Хрущёв. Это как вам удалось на такие цифры выйти? Вроде как по закону Мура должно быть удвоение раз в два года?
Закон Мура это не закон в полном смысле слова, а, скорее, эмпирическое наблюдение. ответил Старос. Пока количество элементов на кристалле невелико, а техпроцесс не дошёл до нанометров, это количество элементов растёт по экспоненте, особенно на регулярных структурах, вроде памяти.
(в течение 60-х гг. улучшения литографии позволяли увеличивать число транзисторов экспоненциальными темпами. http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml)
У нас в Зеленограде запущена технологическая линия по выращиванию кристаллов кремния диаметром до 100 миллиметров. Сейчас пытаемся увеличить диаметр выращиваемых кристаллов до 150 миллиметров. Производство очень энергоёмкое, рассказал сидящий напротив Шокина Берг. Также мы сделали машину для автоматизированного проецирования фотошаблонов на заготовку микросхемы, так называемый степпер. Пока он существует в нескольких опытных экземплярах, но сейчас готовится его малосерийное производство.
Кстати, к нам в Зеленоград приезжал товарищ Мазуров, осматривал производство, очень интересовался перспективами и предлагал создать ещё один центр электронной промышленности в Белоруссии. Вот, есть идея наладить там выпуск степперов и фотоповторителей.
Идею поддерживаю. С Мазуровым вопрос проработайте, я проведу через Президиум и Совет Министров. М-да... До полноценной и массовой полупроводниковой памяти всё равно ещё как до Луны... со вздохом проворчал Хрущёв.
Доберёмся и до полупроводниковой, Никита Сергеич, заверил Берг. Зато теперь АЛУ станут ещё немного дешевле и проще в сборке. Мы, используя полученную нами от компетентных органов информацию, внедрили две очень важных разработки. Это транзистор-транзисторная логика и замена алюминиевого затвора в транзисторах на поликремниевый. Есть такая технология, описанная в документах, как симметричное спаривание p и n-канальных МОП-транзисторов. Она уменьшает потребление энергии при простое, когда транзисторы не переключаются в миллион раз. В документах такая логика называется «комплементарная структура МОП» (КМОП). Вот на этой технологии и основаны разрабатываемые нами микросхемы памяти.
(TTL, в реальной истории появилась в 1963 г. Использование поликремниевого затвора началось с 1968 г и явилось важнейшим прорывом в технологии, позволившим кардинально улучшить стабильность характеристик электронных компонентов http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml)
Здесь, Никита Сергеич, ещё и работает наша плановая экономика, пояснил Шокин. На западе, создавая новый продукт, ждут его коммерческой отдачи. Поэтому они ещё долго будут сидеть на кристаллах диаметром 25-38 миллиметров. А мы, зная тенденции развития, ушли сразу на кристаллы большего диаметра, 100 миллиметров, дальше будет 150. (Когда массовое производство ИС стало исчисляться уже миллионами, оказалось, что с применением пластин большего диаметра себестоимость чипов падает, а массовость растёт и в 1964 г. введены 25 мм пластины, а через 2 года на 38 мм. http://www.ixbt.com/cpu/microelectronics.shtml)
У нас в плане забито увеличение количества элементов, финансирование идёт государственное, и мы этот план выполняем, коммерческой отдачи нам на текущем этапе
ждать не надо. Мы все вложенные затраты отбиваем за счёт экономии средств на содержании и обслуживании тех ЭВМ, в которых заменяем устаревшую элементную базу на новую. Тем более, что новые микросборки уже пошли в производство гражданской продукции радиоприёмников, телевизоров, проигрывателей. Тем более, что полупроводниковая память в серийном производстве будет дешевле памяти на ферритовых кольцах