где Rвн - внутреннее сопротивление входного источника сигнала.
Схема с общей базой редко используется, поэтому мы не будем приводить ее параметры.
Предельные параметры учитываются и при замене одного типа транзистора другим. Не рекомендуется, например, использовать высокочастотный транзистор там, где может работать низкочастотный. Высокочастотные транзисторы, как правило, очень чувствительны к перегрузкам, усилительные схемы на них подвержены самовозбуждению.
Для маломощных схем, работающих при малых коллекторных токах, необходимо выбирать маломощные транзисторы. Применение мощного транзистора в этом случае приведет к неустойчивой работе схемы. Кроме того, в первом каскаде высокочувствительных усилителей рекомендуется применять транзисторы с малым уровнем шумов.
При замене одного типа транзистора другим в УЗЧ целесообразно применять транзисторы со значением h21э, не ниже, чем у заменяемого. При недостаточных методах стабилизации рабочей точки может потребоваться индивидуальный подбор сопротивления резистора в цепи базы для установки необходимого тока коллектора. При этом может оказаться, что заменяемый транзистор уже давно снят с производства или отсутствует в вашей "кладовке". В этом случае можно подобрать транзистор другого типа той же структуры с аналогичными или близкими параметрами. Для подбора таких транзисторов следует использовать справочник по транзисторам. Кроме того, в этом случае можно воспользоваться табл. 4.7, в которой транзисторы размещены по своему основному назначению, а последовательность размещения в группах такова, что все последующие транзисторы заменяют предыдущие. Возможна и обратная замена, когда предыдущий транзистор заменяет последующий из той же группы, но в этом случае качество работы каскада может ухудшиться. В скобках указаны транзисторы, снятые с производства.
Низкочастотные транзисторы в группах расположены с учетом возрастания гарантированного значения коэффициента h21э. Высокочастотные транзисторы расположены в группах в порядке возрастания предельной частоты. Это связано с тем, что на высоких частотах усиление транзистора тем больше, чем выше его предельная частота.
Может оказаться, что транзисторов, пригодных к замене, у вас не оказалось. Тогда можно взять транзистор той же структуры и из того же полупроводникового материала, но более высокой частоты или мощности. Возможны и другие замены, например, германиевого транзистора кремниевым, и, наоборот. Но при этом почти всегда возникает необходимость скорректировать режим работы ступени усиления.
В тех случаях, когда необходимо произвести замену транзисторов, работающих в портативных радиовещательных приемниках, можно воспользоваться табл. 4.8. В ней обобщены сведения о транзисторах, применяемых в каскадах приемников различной ступени сложности с учетом их возможной взаимозаменяемости.
В табл. 4.9 и 4.10 даны рекомендации по замене транзисторов малой и большой мощности соответственно. Использование приведенных аналогов потребует, как правило, подбора деталей.
В некоторых случаях, особенно при использовании эмиттерных повторителей, усиление по току одного транзистора оказывается недостаточным. В этом случае можно применять составные транзисторы. Они применяются в случаях, когда требуется большой коэффициент усиления по току, т. е. применяются в схемах, работающих с большими токами (например, в стабилизаторах напряжения или выходных каскадах усилителей мощности, если необходимо обеспечить большое входное сопротивление).
Полученную схему составного транзистора можно представить как некоторый транзистор с выводами Э, Б, К (рис. 4.20).
Рис. 4.20. Схема составного транзистора
Его параметры можно определить по формулам:
1. Коэффициент усиления по току К = К1∙К2.
2. Входное сопротивление Rвх = 2К∙(Uт/Iк')
3. Крутизна S = Iк/2Uт.
4. Выходное сопротивления Rвых = /3∙Rкэ2
Чтобы транзистор VT2 (рис. 4.20, а) быстрее закрывался, часто параллельно его переходу эмиттер-база включают резистор R1.
Для получения составного транзистора можно также соединить параллельно два комплиментарных транзистора (рис. 4.20, б). При этом функции схемы определяются транзистором VT1, тогда как транзистор VT2 служит лишь для усиления тока. Его параметры можно определить по формулам:
1. Коэффициент усиления по току К = К1∙К2.
2. Входное сопротивление Rвх = К∙(Uт/Iк')
3. Крутизна S = Iк/Uт.
4. Выходное сопротивления Rвых = /2∙Rкэ2
Между базой и эмиттером транзистора VT2 также рекомендуется включать резистор R1. Обычно сопротивление R1 составляет несколько сотен ом в мощном составном транзисторе и несколько тысяч ом в маломощном составном транзисторе.
4.4. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Полевой транзистор (ПТ) - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей (электронов или дырок, протекающим через проводящий канал). В отличие от биполярных транзисторов работа ПТ основана на использовании основных носителей заряда в полупроводнике. На рис. 4.21 показаны УГО полевых транзисторов.