Что можно сказать о рабочей характеристике схемы ОБ?
Усилитель, работающий в схеме ОБ, представлен на рис. 4.10, а, а выходные характеристики Iк = f(Uкб) для Iэ = const - на рис. 4.15.
Для выходной цепи можно записать следующее уравнение:
IкRк + Uкб = Ек
которое говорит о том, что сумма падений напряжения на сопротивлении Rк и на переходе коллектор - база должна быть численно равна напряжению источника питания. Для Rк = 2 кОм и Ек = 12 В на основании этого уравнения получим два крайних значения: Uкб = 0, если Iк = 6 мА, и Uкб = 12 В, если Iк = 0.
На семействе характеристик Iк = f(Uкб) обозначим через Р1 и Р2 точки, соответствующие этим значениям, а затем проведем через них прямую, называемую нагрузочной прямой.
В рассматриваемом примере нагрузочная прямая одинакова для переменного и постоянного тока, поскольку в представленной на рис. 4.10, а схеме сопротивление нагрузки (резистивное) не зависит от частоты. Точка Р0, лежащая на этой прямой и соответствующая значениям Iк и Uкб в схеме при отсутствии сигнала на входе, называется рабочей точкой в состоянии покояР0. При заданных значениях Rк и Ек рабочая точка зависит от значений Rэ и Еэ, определяющих напряжение смещения перехода эмиттер - база, а следовательно, и ток Iэ. В режиме линейного усиления рабочую точку выбирают таким образом, чтобы она лежала вблизи середины нагрузочной прямой, проходящей через точки Р1 и Р2.
На семействе характеристик Iк = f(Uкб) можно нанести управляющее колебание. Если изменения мгновенного значения тока эмиттера, вызванные этим колебанием, будут находиться, в пределах от iэ мах до iэ min, то, двигаясь вдоль этой прямой, можем определить диапазон изменений тока и напряжения между коллектором и базой.
Когда сопротивление нагрузки для переменного тока имеет другое значение, чем для постоянного, на семействе характеристик строим две нагрузочные прямые: одну для постоянной составляющей, другую для переменной. Обе прямые всегда пересекаются в рабочей точке.
Рис. 4.15.Нагрузочная характеристика в семействе статических выходных характеристик схемы ОБ
Что можно сказать о рабочей характеристике схемы ОЭ?
Схема усилителя, работающего по схеме ОЭ, представлена на рис. 4.12, а, а примерные выходные характеристики Iк = f(Uкэ) для Iб = const на рис. 4.16, а. При построении рабочей характеристики принято Ек = 12 В, Rк = 2 кОм, а также использовано уравнение
IкRк + Uкэ = Ек
Затем построена нагрузочная прямая. Рабочая точка покоя Р0 выбрана для Iб = 80 мкА. Для точек Р1 и Р2 в этом случае имеем:
Iб(Р1) = 120 мкА; Iк(Р1) = 5 мА;
Iб(Р2) = 40 мкА; Iк(Р2) = 1,3 мА.
Используя нагрузочную прямую, можно вычислить некоторые параметры рассматриваемой схемы. Например, коэффициент усиления по току
Можно также рассчитать значение коэффициента передачи по напряжению. Для этого следует воспользоваться входной статической характеристикой Iб = φ(Uбэ) для Uкэ = const (рис. 4, 16, б, с учетом того, что для Uкэ выбираем значение, соответствующее рабочей точке Р0 на характеристике Iк = f(Uкэ) (рис. 4.16, а). Затем выбираем такое значение Eб или для заданного Еб такое сопротивление Rб, чтобы нагрузочная прямая пересекла эту характеристику в точке, соответствующей току базы для рабочей точки Р0 (рис. 4.16, а). Вдоль оси напряжения Uбэ определим Uбэ управляющего напряжения для токов базы от Iб(Р1) до Iб(Р2). Из рис. 4.16, а получим Uкб = 30 мВ, а из рис. 4.16, Uкб = ΔIкRк = 6 В, т. е. коэффициент усиления по напряжению для этого примера равен
KUЭ = Uкб/Uбэ = 6 В/30 мВ = 200.
Рис. 4.16.Нагрузочная характеристика в семействе выходных (а) характеристик схемы ОЭ и определение управляющего напряжения в схеме ОЭ (б)
Что такое полевой транзистор?
Это транзистор, управляемый электрическим полем, в котором действует лишь одни вид тока, а именно созданный только основными носителями: электронами или дырками. В биполярном транзисторе, как известно, действуют оба вида носителей - основные и неосновные, т. е. электроны и дырки. Полевые транзисторы называются также транзисторами на полевом эффекте, что следует из принципа их работы. Встречается также название - транзисторы FET, являющееся сокращением английского названия Field Effect Transistor. Полевые транзисторы делятся на две группы: транзисторы с р-n переходом и транзисторы с изолированным затвором - МДП или МОП транзисторы.
Каковы структура и принцип работы полевого транзистора?
Структура полевого транзистора упрощенно представлена на рис. 4.17.