Опция позволяет системе отслеживать и корректировать однобитные ошибки в оперативной памяти. Также будут обнаруживаться и более сложные ошибки, но исправляться они не будут. Использование данной функции возможно только в случае установки модулей памяти, поддерживающих режим коррекции ошибок ЕСС.
Может принимать значения:
– ЕСС - коррекция разрешена. Обеспечивает увеличение стабильности работы системы (правда, при небольшой потере производительности). Рекомендуется, если компьютер используется для обработки и хранения очень важной информации, т. к. позволяет своевременно выявить проблемы с памятью. Значение устанавливается по умолчанию;
– Non-ECC - коррекция запрещена. Рекомендуется, когда на первом месте стоит скорость работы, а не стабильность.
В некоторых версиях BIOS опция может означать другую функцию и, соответственно, будет принимать значения: Parity (контроль четности) или ЕСС (коррекция ошибок).
• DRAM ECC/Parity Select
Опция позволяет выбрать режим коррекции ошибок/контроля четности. Этот параметр содержится только в BIOS тех материнских плат, чипсет которых поддерживает модули памяти с коррекцией ошибок (например, 440HX/FX/LX), и может использоваться только при установке соответствующих модулей памяти. Изменение значения этого параметра возможно только при активации параметра Data Integrity (PAR/ECC) или аналогичного.
Может принимать значения:
– Parity - в случае возникновения ошибки на экран монитора выдается сообщение о сбое четности в памяти, и работа компьютера останавливается. Значение устанавливается по умолчанию;
– ЕСС - в случае возникновения одиночной ошибки она исправляется, и работа компьютера продолжается. В случае появления множественных ошибок работа компьютера приостанавливается с выводом на экран монитора соответствующего сообщения. При выборе этого значения скорость работы оперативной памяти замедляется примерно на 3 %.
• DRAMInterleave Mode
Опция позволяет реализовать режим "чередования" адресов. Функция основана на предположении, что чаще всего доступ осуществляется к некоторому массиву последовательных адресов. Данный режим позволяет значительно увеличить производительность оперативной памяти. Конкретное значение выбирается в зависимости от типа применяемых модулей памяти.
Может принимать значения:
– Banks 0+1 - режим включен для банков памяти с номерами 0 и 1;
– Banks 2+3 - режим включен для банков памяти с номерами 2 и 3;
– Both - режим включен для всех имеющихся банков памяти;
– No Interleave - функция отключена.
При использовании синхронной памяти опция будет иметь название SDRAM Bank Interleave и значения: Disabled, 2 Banks и 4 Banks.
• DRAM Page Idle Timer
Опция позволяет устанавливать время в тактах системной шины до закрытия всех открытых страниц памяти. Функция появилась еще во времена FPM-модулей и сохранила актуальность до сих пор.
Может принимать значения:
– 1T – до закрытия открытых страниц памяти выжидается один системный такт;
– 2Т - до закрытия открытых страниц памяти выжидается два системных такта;
– 4Т – до закрытия открытых страниц памяти выжидается четыре системных такта;
– 8Т - до закрытия открытых страниц памяти выжидается восемь системных тактов.
Для увеличения быстродействия устанавливаются меньшие значения задержки, но при этом возможна нестабильная работа системы. Оптимальный вариант подбирается опытным путем.
В некоторых версиях BIOS опция может называться Paging Delay или DRAMIdle Timer.
• DRAM R/WLeadoff Timing
Опция позволяет устанавливать время доступа к оперативной памяти в зависимости от используемого модуля памяти. Если быть более точным, то устанавливается число тактов на системной шине до выполнения любых операций с памятью.
Может принимать значения:
– 8/7 - восемь тактов для чтения и семь тактов для записи данных;
– 7/5 - семь тактов для чтения и пять тактов для записи данных. В некоторых версиях BIOS можно встретить другие значения:
– 5 - обычно устанавливается только при работе с EDO DRAM со временем доступа 50 нс и меньше (или SDRAM со временем доступа 10 нс);
– 6 - устанавливается для модулей EDO DRAM со временем доступа 60 нс.
• DRAM Read Burst Timing
Опция позволяет устанавливать задержку при работе с оперативной памятью. Запрос на чтение или запись генерируется процессором не одним байтом, а сразу 4 или 8 последовательными длинными словами в строке. Это ускоряет операции с памятью, т. к. адрес передается один раз, и в дальнейшем происходит чтение или запись данных, относящихся к одной строке. В циклах чтения это выглядит как х-у-у-у для режима Normal Burst или как x-y-y-y-z-y-y-y для режима Back-to-Back Burst. Для оперативной памяти эти цифры не являются строго определенными и могут варьировать в зависимости от ее типа и скорости. Уменьшение суммарного количества тактов увеличивает быстродействие. Слишком малые значения могут привести к нестабильной работе памяти и, соответственно, к потере данных.
Допустимые значения для циклов обращения к памяти:
– х222 и хЗЗЗ - для памяти типа EDO DRAM;
– хЗЗЗ и х444 - для памяти типа FPM DRAM;
– x111 и х222 - для памяти типа SDRAM.
На стабильную работу при уменьшении значений оказывает влияние тип чипсета, используемого на материнской плате. Например, чипсеты Triton ТХ и НХ "выдерживают" меньшие значения, чем Triton FX. Следовательно, ТХ и НХ могут работать быстрее, чем FX. В таблице 8.1 приведены некоторые рекомендованные значения для чипсетов компании Intel.
Таблица 8.
1. Рекомендуемые значения задержки для некоторых чипсетов компании Intel
где х – значение, зависящее от типа памяти.
Опция может иметь название DRAM Read Timing.
• DRAM Read Latch Delay
Опция позволяет устанавливать задержку между появлением данных в регистре памяти и их чтением. Большее значение уменьшает быстродействие, но увеличивает стабильность работы.
Может принимать значения:
– 0.0 ns - отсутствие задержки;
– 0.5 ns - задержка равна 0,5 нс;
– 1.0 ns - задержка равна 1 нс;
– 1.5 ns - задержка равна 1,5 нс.
• DRAM Speed Selection
Опция позволяет установить время доступа к оперативной памяти.
Может принимать значения:
– 50 ns - время доступа устанавливается равным 50 нс;
– 60 ns - время доступа устанавливается равным 60 нс;
– 70 ns - время доступа устанавливается равным 70 нс.
Установка меньшего значения, чем требуется для конкретного модуля памяти, может несколько увеличить производительность, но при этом увеличивается шанс получить полностью неработоспособную систему.
• DRAM Timing
Опция позволяет настроить временную характеристику записи/чтения данных в оперативной памяти. Чем меньше значение, тем быстрее идет обмен с памятью.
Может принимать значения:
– Auto - автоматическое определение временных характеристик при каждом включении компьютера;
– 70 ns - устанавливается для памяти со временем доступа 70 нс;
– 60 ns - устанавливается для памяти со временем доступа 60 нс;
– 50 ns - устанавливается для памяти со временем доступа 50 нс.
• DRAM Write Burst Timing
Смысл данной опции полностью идентичен DRAM Read Burst Timing, но речь идет о записи данных.
• Data Integrity (PAR/ECC)
Опция позволяет включить коррекцию ошибок/контроль четности. Вид контроля определяется значением параметра DRAM ECC/Parity Select.
Может принимать значения:
– Enabled - функция контроля включена;
– Disabled - функция отключена.
• EDO CAS# MA Wait State
Опция позволяет установить дополнительный такт задержки после выдачи сигнала CAS# для модулей оперативной памяти типа EDO.
Может принимать значения:
– 1 – используется только один такт задержки. Устанавливается по умолчанию;
– 2 - устанавливается один дополнительный такт задержки. Используется при ошибках в работе памяти.
• EDO RAS# Wait State
Опция позволяет установить дополнительный такт задержки после выдачи сигнала RAS# для модулей оперативной памяти типа EDO.
Может принимать значения:
– 1 – используется только один такт задержки. Устанавливается по умолчанию;
– 2 - устанавливается один дополнительный такт задержки. Используется при ошибках в работе памяти.
• EMS
Опция позволяет включить поддержку центральным процессором расширенной памяти спецификации EMS (Expanded Memory Specification). Применяется на компьютерах класса 286.
Может принимать значения:
– Enabled - поддержка разрешена;
– Disabled - поддержка запрещена. Устанавливается по умолчанию.