"Н": Что я вижу! Батареи G1 и G2 соединены разноименными полюсами?!
"С": Молодец, сразу заметил! Может быть и соотношение токов для этой схемы запишешь?
"Н": Ну хорошо, я попытаюсь… Итак:
Iэ= Iк + Iб; ΔIэ = ΔIк + ΔIб
K = ΔIк/ΔIэ = ΔIк/(ΔIк + ΔIб)
Но… ведь это же и есть коэффициент α!
"С": Правильно! Ты верно предположил, что ток через Rн = Iк, или, соответственно, его изменение, - ΔIк! Ты убедился, что в данном случае Iэявляется входным (или ΔIэ)! Что бы там не происходило, в любом случае коэффициент усиления по току это отношение ΔIвых к ΔIвх. И пришел к совершенно справедливому заключению, что - это коэффициент усиления по току в схеме с общей базой!
"Н": Мало радости! Хорош усилитель - ослабляет, а не усиливает!
"С": Так это - по току! А вот по напряжению "все совсем-совсем иначе"!
"Н": Откуда это вытекает?
"С": А ты, Незнайкин, вспомни, что мы говорили о ВАХ диодов? И прикинь, что при изменении ΔIб в несколько раз, ΔUб-э изменяется не более, чем процентов на 5–8! Значит, если для кремниевого транзистора Uб-э = 0,7 вольта, то ΔUб-э составляет, примерно, не более 0,1 вольта!
А вот коллекторная батарейка дает напряжение, к примеру, равное 10 вольт!
Но мы подбираем Rн таким, чтобы ΔRн = 5 вольт.
Но ведь
ΔRн = - ΔUк-э
Тогда
КU = ΔURн/ΔUб-э = ΔUк-б/ΔUб-э = 5/0,1 = 50!
Вот и выходит, что в схеме ОБ коэффициент усиления по напряжению много БОЛЬШЕ единицы, а коэффициент усиления по току немногим МЕНЬШЕ единицы! Что касается усиления по мощности, то оно также больше единицы.
"Н": А что можно сказать относительно схем ОЭ и ОК?
"С": Что касается схемы ОЭ, то именно ее мы рассматривали в самом начале, когда знакомились с принципом работы транзистора.
"А": Это именно для нее рассчитывался коэффициент усиления по току?
"С": Да, безусловно! И мы уже знаем, что он значительно больше единицы. Причем - всегда!
"Н": Но в таком случае для схемы с ОЭ и коэффициент усиления по току, и коэффициент усиления по напряжению значительно больше единицы. Значит, коэффициент усиления по мощности для этой схемы не менее нескольких тысяч?
"С": Или даже нескольких десятков тысяч! Ну вот, а теперь рассмотрим последнюю разновидность схемы включения транзистора - схему с ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ! Можем записать:
Iэ= Iк + Iб; ΔIэ = ΔIк + ΔIб
K = ΔIэ/ΔIб = (ΔIк + ΔIб)/ΔIб = ΔIк/ΔIб + 1; К = β + 1; γ = β + 1!
А теперь посмотрим, что можно сказать о КU такой схемы. В самом деле, коллекторный ток, проходя по резистору Rн создает падение напряжения, равное UR. Но напряжение Uб-э будет во всех случаях иметь величину около 0,7 вольта. Тогда:
ΔUвых= ΔUвх - ΔUб-э ~= ΔUвх - 0.7 вольт!
Следовательно:
К = ΔUвых/ΔUвх = (ΔUвх - 0.7)/ΔUвх ~= 1
Вот эта схема и получила в технике наименование ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ.
"А": Но на принципиальных схемах транзистор всегда изображается иначе?
"С": Только иначе! Мы с вами тоже, начиная с этого момента, переходим на обозначение биполярного транзистора принятое в электронике. Транзисторы принято обозначать следующим образом - рис. 13.5.
"А": Что еще следует знать об особенностях этих трех схем включения?
"С": Ну, как минимум, то, что представлено в табл. 13.1.
"А": А какие вопросы по биполярным транзисторам еще остались без рассмотрения?
"С": Да их еще порядком! Вот, например, такой параметр, как Iко - ОБРАТНЫЙ ТОК КОЛЛЕКТОРА. Западные авторы обычно именуют его как ОБРАТНЫЙ ТОК ПЕРЕХОДА КОЛЛЕКТОР-БАЗА - Iсбо.
"Н": А какова реальная величина этого тока?
"С": Для германиевых транзисторов, например, ГТ322, ГТ329, ГТЗЗО и т. д. - его величина не превышает единиц микроампер при температуре окружающей среды +20 °C.
Для кремниевых транзисторов общего применения (маломощных) величина Iко не превышает десятых долей микроампера. У наиболее высококачественных современных транзисторов этот параметр составляет величину несколько тысячных микроампера!
"А": Странно, что такие малые токи доставляют столько беспокойства разработчикам электронных систем!
"С": Еще бы! Возьмем для примера наиболее почитаемую электронщиками схему с общим эмиттером - ОЭ (рис. 13.6).