Электр майдон секинланувчи ва яқинлашаётган бўлса электрон тезлиги камайиб сочилади ва аксинча секинланувчи ва сочилувчи бўлса электронлар оқими фокусланади.
1.3. ЭЛЕКТРОННИНГ БИР ЖИНСЛИ БЎЛМАГАН МАГНИТ МАЙДОННИДАГИ ХАРАКАТИ
v
0
Бу ерда е электрон катталиги, v
0
Агар v0 = 0 бўлса F=0 га тенг бўлади, яхни бу холатда электрон характда бўлмайди ва Лоренц кучи нолга тенг бўлади. Лоренц кучи электроннинг тезлигига тўғри бурчак остида таъсир қилганда электроннинг траекторияси эгилади. Куч иш бажармагани учун электроннинг энергияси ва тезлиги ўзгармайди, фақат тезликнинг йўналиши ўзгаради.
1.6-расм. Бир жинсли кўндаланг магнит майдонда электроннинг харакати
Жисмнинг доимий V
0
Электроннинг харакат йўналиши магнит куч чизиғига нисбатан соат стрелкаси йўналиши бўйича бўлади. Электроннинг айлана бўйлаб харакатлангандаги r радусини топайлик.
Бунинг учун марказга интилма кучининг математик ифодасидан фойдаланамиз:
Буни (1.10) даги F билан тенглаштириб:
эканлиги топамиз. Қисқартиришларни бажариб эса ни аниклаймиз:
Электроннинг v
0
Магнит индукция В катта бўлганда Лоренц кучи F катта бўлиб, траектория кўпроқ эгилади, радиуси эса камаяди. Юқоридаги чиқарилган ифода ихтиёрий масса ва заряд учун тўғри.
Магнит майдонига ихтиёрий бурчак остида кираётган электроннинг харакатини кўрайлик. Электронниг бошланғич тезлик вектори ва Х ўқи билан В вектор мос келган координата юзасини танлаб олайлик. V
0
X
у
X
Агар электрон фақат Uy тезликка эга бўлса юзада магнит куч чизиқларига тик йўналишда айлана бўйича харакатланади. В, U
x
y
1.7-расм. Электронни бир жинсли магнит майдондаги спирал бўйича харакати.
Назорат саволлари.
1. Электронлар бир жинсли электр майдонда кандай харакат килади?
2. Электронлар тезлатувчи электр майдонида кандай харакат килади?
3. Электронларнинг кундаланг бир жинсли майдондаги харакатини тушунтиринг.
4. Электронларни бир жинсли булмаган магнит майдондаги харакатини тушунтиринг.
5. Электронлар бир жинсли магнит майдонида кандай харакат килади?
6. Электронларни бир жинсли кундаланг магнит майдондаги харакати кандай амалга оширилади?
2-БОБ ЯРИМ ЎТКАЗГИЧЛИ АСБОБЛАР
2 бобда ярим ўтказгичли асбоблар ҳосил қилишнинг физик асослари, «n-р» ўтиш ҳосил қилиш ва улар асосидаги приборлар-ярим ўтказгичли диодлар, транзисторларнинг схемадаги шартли белгиси, ишлатилиш сохаси ҳамда схемалари ёритилган.
2.1. ЯРИМ ЎТКАЗГИЧ АСБОБЛАР ХОСИЛ ҚИЛИШНИНГ ФИЗИК АСОСЛАРИ
Ярим ўтказгичли асбобларнинг ишлаши «электрон» ҳамда «тешикларнинг» харакатланишига асосланган. Ишлаб чиқаришда бу асбоблар содда германий (Gе), кремний (Si), селен (Se) ёки мураккаб арсенид галлий (Gа Аs), кремний карбиди (SiC), галлий фосфиди (GaР) ярим ўтказгич материалидан тайёрланади. Уларнинг хаммаси «олмос» турли мунтазам панжара таркибига эга бўлган кристаллдан иборат.
2.1-расмда атомларининг ташқи орбитасида тўрттадан электрони бўлган тоза германийнинг ясси эквивалент панжараси келтирилган. Электрон турғун холатда бўлиши учун, қўшни тўртта атом билан ковалент яъни қўш боғланади хамда валент электронлар бу боғланишда иштирок этади.
2.1-расм. Германийнинг кристалл панжараси.
Квант механикаси қонунларига, асосан, хар бир валент боғланган электрон учун маoлум бир энергия сатхи тўғри келади. Уларнинг тўплами «валент» (V зона) зонани ташкил этади.
Электрондан холи бўлган энергетик сатхлар эркин зонани ташкил этади, улар «ўтказувчанлик» (С зона) зонаси дейилади. Бу икки зона оралиғида учинчи, «тақиқланган» зона жойлашган. Идеал қаттиқ, кристалли жисмларда электронлар бундай энергияга эга эмас. Бундай холат абсолют нол харарот учун тўғри бўлади. Стабил холатни бузувчи ташқи факторлар: иссиклик, харорат, ёруғлик нури, электромагнит майдон ва бошқалар хисобланади. Уларнинг таъсири натижасида валент электронлар ядро билан боғланишни ўзиш учун етарли бўлган қўшимча энергия олиши мумкин. Бунинг учун зарур бўлган минимал энергия модданинг тақиқланган зонаси кенглиги (DW) билан аниқланади. 2.2 расмда ўтказгичлар, ярим ўтказгичлар ва диэлектрикларнинг энергетик зона диаграммалари келтирилган. Уй харакатида металларда тақиқланган зона нолга яқин, диэлектрик материалларда 37 ЭВ (олмос) ва ярим ўтказгичларда эса 0,5 2,5 ЭВ (германий DW = 0,66 ЭВ, кремний DW = 1,14 ЭВ) ни ташкил этади. Ковалент боғланишдан чиқиб кетган электрон эркин бўлиб қолади ва у кристалл бўйича тартибсиз харакатланади.
2.2 расм. Энергетик зоналар, а ўтказгичларники; б ярим-ўтказгичларники; в диэлектрикларники: 1 ўтказувчанлик зона; 2- валент зона; 3 тақиқланган зона.
Бу электроннинг энергияси ўтказувчанлик зонасидаги энергетик сатхлар қиймати билан аниқланади. Энергия ортиши билан, соф ярим ўтказгичда электрон валент зонанинг юқори сатхидан ўтказувчанлик зонасига ўтади. Бунга хусусий ўтказувчанлик дейилади. Валент зонасидан электрон чиқиб кетганда, унда «тешик» деб аталувчи бўш (вакант) ўрин хосил бўлади (2.3- расм). Эркин электрон бошқа заррачалар билан тўқнашганда, ўз энергиясининг бир қисмини сарфлайди ва бу энергия сатхида яна ковалент боғланишга киришади.
Бу ходисага рекомбинация жараёни дейилади. Электрон тешик жуфтларининг хосил бўлиш жараёни, параллел равишда ўтади ва иссиқлик мувозанатида эркин электронларнинг сони ўрта хисобда ўзгармас сақланади. Атом билан боғланган электроннинг энергияси сатхдан ортиқроқ бўлса:
2.3 расм. Электрон тешик жуфтларининг хосил бўлиши. а германий, б энергетик диаграмма: 1 ўтказувчанлик зона, 2 тақиқланган зона, 3 валент дона, 4 электрон тешик жуфтларининг хосил бўлиши.
Валент зонасидаги вакант (бўш) сатхга ўтиши ва заряд ташувчи бўлиши мумкин. Соф ярим- ўтказгичларда заряд ташувчилар концентрацияси, яхни эркин электрон ва тешиклар сони бир сантиметр кубда 10
17
4
6
4
2.4 -расм. Мишяк аралашган германийнинг эквивалент панжараси (а) ва энергетик зона диаграммаси (б): 1 ўтказувчанлик зонаси, 2 тақиқланган зона, 3 валент зона, 4 акцептор сатхи, 5 эркин электрон.
Донор сатхи энергиясига эга бўлган электронлар ўтказувчанлик зонасига осонгина ўтиб, заряд элтувчиларнинг диффузия оқимини хосил қилади.
Соф ярим ўтказгич германийга уч валентли индий аралашмаси киритилсин. 2.5а-расмда индий аралашмаси мавжуд бўлган германий кристалл панжараси кўрсатилган. Уч валентли индий атоми тўртта германий атоми билан ковалент боғланишга киришади ва унинг битта боғи электрон билан тўлмай қолади. Ташқи майдон қўшни атом электронини шу тўлмай қолган ковалент боғланишига (электрон ваканциясига) ўтишга мажбур этади, бўшаган ўринга эса ўз навбатида бошқа қўшни атомнинг электрони ўтади ва хоказо.
Индий аралашмали ярим ўтказгичда ўзига хос электронларнинг навбатма-навбат харакати вужудга келади. Бунда электрон лар атомлардан узоқлашиб кетмайди, доим улар билан ўзаро боғланган бўлади. Боғланган электронларнинг бундай кетма кет силжишини шартли равишда, мусбат зарядга эга бўлган бўш ковалент боғланишга эга бўлган тешикларнинг электронлар томон харакати деб қараш мумкин. Тешиклар харакати билан юзага келган ўтказувчанликни ковакли (тешикли) ўтказувчанлик, материалнинг ўзини эса р турли яримўтказгич деб аталади» (р лотинча Роzitiv мусбат сўзидан олинган). Яримўтказгичларда тешикли ўтказувчанликни ҳосил қилувчи аралашмаларга акцепторлар дейилади.
Акцептор аралашмали яримўтказгичларда тақиқланган зонанинг пастки қисмида, валент электронлар зонаси яқинида, эркин энергетик сатхлар юзага келади, улар акцептор сатхлари деб аталади (2.5 б расм). Валент зонадан электронлар акцепторлар сатхларига осонгина ўтиб, унда эркин электронлар ваканцияси тешикларни хосил қилади. Шундай қилиб, соф ярим ўтказгичли материалга донорли (Аs) ёки акцепторли (Jn) аралашмалар қўшиб, сунoий равишда электрон (n турли) ёки тешикли (р турли) ўтказувчанликка эга бўлган яримўтказгичлар олиш мумкин. Бундай материаллардан қуйидаги ярим ўтказгичли асбоблар тайёрланади: диодлар, транзисторлар, тиристорлар ва хоказо.