Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография
6 минут
В монографии приводятся физические свойства и механизм образования фотоЭДС в пленках А2В6. Комплексное изучение фотоЭДС и фотопроводимости позволил определить энергии их активации и свойства межкристаллических барьеров вдоль слоя. Рассмотрена структура края поглощения пленок для упрощения анализа сп